我國信息產業的穩步、健康發展，電子信息材料成為不可或缺的重要組成部分。2006年電子信息材料全行業工業總值(銷售收入)達到776億元，同比增長約29.1%，出口額約27.2億美元，其高速增長的主要原因是信息產業快速增長；新能源光伏產業需求的帶動；新型元器件技術提升、規模擴大，對高附加值電子信息材料需求增加；提高了對自主創新的認識，高附加值電子信息材料產品逐步增加；材料價格有所上調等。中國環氧樹脂行業協會(
www.epoxy-e.cn)專家于日前，對我國電子信息材料行業在2006年的發展現狀作一回顧、分析，并對2007年的發展做一展望。
——半導體材料，太陽能電池是熱點
多晶硅：節能降耗是迫切任務。近幾年由于市場需求的快速增長，作為半導體、光伏太陽能電池的重要原材料多晶硅材料，2006年市場供應緊張局面仍在繼續。2006年世界多晶硅產量為32950噸，其中半導體用多晶硅產量約19250噸，太陽能電池用產量約13700噸。從需求來看半導體用多晶硅需求約在20900噸，太陽能電池用多晶硅需求約在18000噸，總的需求量約為38900噸，產需缺口5950噸。預測世界多晶硅生產企業的產能擴大需要2年左右的時間。據中國環氧樹脂行業協會(www.epoxy-e.cn)專家統計，2006年國內對多晶硅材料的需求約4947噸，供需差距很大，95%以上的多晶硅仍來自進口，提升突破多晶硅產業化技術，節能降耗是行業的迫切重要任務。
多晶硅材料的短缺及其價格的上漲，帶來國內對多晶硅投資、引資的強烈增長，因此為了保證多晶硅產業的健康、有序、快速的發展。為此專家建議：全球7大多晶硅材料廠的擴產產能將在2008年陸續釋放，另外一些新建的工廠也會有部分產量產出，多晶硅材料市場將會得到進一步的充實；多晶硅產品純度高，工藝要求嚴格，設備專用而且資金投入大，行業技術進步快，生產中的副產品回收利用、三廢處理和循環經濟投入大，需要加大研究費用的投入，才會顯現產業鏈和規模的綜合效應；近幾年國內多晶硅實際需求量約1萬噸，對已有基礎條件的多晶硅生產企業，加大產業化新技術的突破，同時新建2～3家多晶硅生產線，形成我國的多晶硅產業是必要的。
另外，中國環氧樹脂行業協會(www.epoxy-e.cn)專家還建議：加強自主創新，加大對太陽能電池用低成本多晶硅生產技術研究開發的支持力度；國家有關部門加強宏觀引導。當前我國多晶硅工程投資過熱，國內上馬和籌建項目產能初步統計已達5萬多噸，預計投放的資金量達400億元以上，國內多晶硅產能將面臨過剩的局面，新建項目設立和啟動建設工程一定要慎重；國內多晶硅廠家將在人才不足、生產成本、產品質量、價格和節能減排等方面面臨嚴峻挑戰；為了規范行業和市場的發展，建議上下游行業企業緊密結合，組織半導體用多晶硅標準的修訂，加快太陽能電池用多晶硅標準的制定。
單晶硅：中小尺寸為主。2006年國內硅單晶總產量為3739.7噸，總銷售額約117.8億元，其中半導體級硅單晶產量約551.4噸，太陽能級硅單晶約3188.3噸，太陽能級硅單晶占了總產量的85%。太陽能級硅單晶產量的大幅增加主要是受太陽能電池市場快速增長的拉動，以及國產單晶爐質量提高、價格較國外單晶爐低等原因。半導體級硅單晶總的發展狀況趨于平穩。2006年全球硅片總銷售額約為103億美元，我國銷售收入總額達到117.8億元，占世界總額的13.6%，與2005年相比有較大幅度上升，但所占世界比例仍較小。2006年我國單晶硅棒的出口量為1177.40噸，出口額為14805.65萬美元，出口額比2005年增長了8.1%；單晶硅切片出口數量為408.043噸，出口額為20356.69萬美元，出口額比2005年增長了74.38%，總的出口額約3.5億美元。
在硅材料中硅拋光片的技術含量高，拋光片的發展標志著國內硅產品的進步。我國的拋光片1996年產量為1620萬平方英寸，到2006年上升到25540萬平方英寸，拋光片主要以4、5、6英寸為主。2006年國內硅外延片產量6229萬平方英寸，比2005年4580萬平方英寸增長了36%；全球2006年硅外延片的產量為1821百萬平方英寸，我國只占全球的3.3%。目前，我國絕大部分企業只能生產4～6英寸硅外延片，8英寸、12英寸硅外延片正在研究試制。中國環氧樹脂行業協會(www.epoxy-e.cn)專家介紹說，硅材料市場前景廣闊，我國硅單晶的產量、銷售收入近幾年遞增較快，以中小尺寸為主的硅片生產已成為國際公認的事實，為世界和我國集成電路、半導體分立器件和光伏太陽能電池產業的發展做出了較大的貢獻。
砷化鎵材料：向大直徑長尺寸發展。隨著GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料總的發展趨勢是晶體大直徑、長尺寸化。用于光電子領域的砷化鎵材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制備；半絕緣砷化鎵材料主要應用于微電子領域，主要采用高壓液封直拉法(HPLEC)、常壓液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制備。VB/VGF技術在國際上已發展成為成熟的砷化鎵晶體生長工藝，采用該技術生產的Ф76.2mm、Ф100mm的拋光片已商品化，目前國外半導體砷化鎵材料的主流產品依然是Ф76.2mm。國內低阻砷化鎵材料的主流產品為Ф50.8mm和Ф76.2mm。
低阻砷化鎵材料主要用來制造發光管(LED)、半導體激光器(LD)、高效太陽能電池、霍爾組件等。中國環氧樹脂行業協會(www.epoxy-e.cn)專家表示，我國2006年度僅LED的需求量為150億支，對砷化鎵襯底材料的年需求量約50萬片。隨著國內汽車電子顯示器件及高亮度LED尾燈的需要量增長，對這類材料的需求量還會大幅度增長。目前，在福建、廣東、山東、江西及石家莊等地區已建成和正在興建的Φ50.8mm器件生產線就有十幾條，基本上全部從國外進口該襯底材料。因此預計，在未來3年～5年內，國內的年需求量將達到200萬片左右。
——光電子信息材料，LED、LCD唱主角
半導體照明：關鍵設備還很薄弱。我國LED完整的產業鏈已基本形成，在上游外延生長、中游芯片、下游封裝與應用各環節均已進入量產階段，不過目前在相應的關鍵設備方面還非常薄弱。據中國環氧樹脂行業協會(www.epoxy-e.cn)專家介紹，上游外延材料已實現了量產，但產業化水平不高，而外延和芯片制造的關鍵設備主要還是依賴進口；中游芯片制造與國外差距不大，GaN基LED芯片依賴進口的局面正在改變，但企業規模與國外大公司相比差距較大；下游封裝實現了大批量生產，我國正在成為世界重要的中低端LED封裝基地；半導體照明光源及燈具已批量出口銷售。我國LED市場規模平均增長率為34%。2005年我國LED的生產數量近500億只，封裝銷售值達到100億元，2006年LED封裝銷售值提升至146億元，已成為世界重要的中低端LED封裝生產基地。
在我國，LED產品系列中的高亮度、功率型LED及白光LED應用產品市場正在形成，并快速發展。截至2006年12月，我國有十余家外延芯片廠商已經裝備MOCVD，投入生產的總計數量為40臺。“十五”期間，在“國家半導體照明工程”的組織實施過程中，通過自主技術創新，材料研究與開發方面取得了許多重要突破并達到世界先進或*水平；在材料的制備、結構與性能表征等基礎研究方面取得了一批具有世界先進水平的成果。2006年國內LED芯片市場分布：GaN芯片市值約占據43%，四元InGaAlP芯片市值約占據整個國內LED芯片的15%；其他種類LED芯片的市值約占據42%。2006年國內GaN芯片產值4.5億元，同期國內GaN芯片需求總產值25億元。國內非GaN芯片(普亮和四元)總產值6億元，同期國內非GaN芯片需求總產值17億元。合計國內芯片市場總需求42億元。
液晶顯示材料：*繁榮。2006年顯示器市場顯得*繁榮與活躍，又是一個快速成長年，我國原有的TN-LCD、STN-LCD產業在液晶全行業中依然占據十分重要的地位，盡管其總產值已低于TFT-LCD，但TN-LCD、STN-LCD產業基本上保持了平穩發展的態勢，而與它相關的材料、制造設備業也得到相應的發展。到目前為止，盡管我國LCD相關材料還不能完全滿足TN、STN-LCD產業的需求，但是經過這些年的努力確有長足進步。首先是涉及的面寬了許多，幾乎TN、STN-LCD產業所需的所有材料，國內都可以生產。其次產品質量上這幾年也明顯有所提高。第三，材料銷售額在全行業的比重加大了，2006年全行業實現銷售額約50億元增加值，主要是材料的貢獻。現在的問題是，我們的TFT器件產業起來了，但原材料大大地跟不上。現在除了背光源在相當程度上可滿足TFT模塊的要求外，幾乎所有TFT器件生產所需要的材料都要進口。這就大大增加了成本，不利于產業健康發展。因此，大力發展TFT-LCD相關材料成了行業的共同任務和當務之急。
OLED有機發光材料：備受關注。隨著OLED技術及產業化的興起，制約OLED屏顯示性能的有機發光材料成為顯示屏制造的關鍵原材料，也因此受到眾多研究學者和產業界更多的關注。國內在有機發光材料領域走在產業化前面的為以長春應化所為研發背景的歐萊德化學材料有限公司，但其在自主創新材料的開發上離業界水平還有很大距離。其次，是以OLED器件研究為主的北京維信諾顯示技術有限公司，維信諾同清華大學有機光電實驗室合作，近兩年來在創新材料的開發上取得了一系列的進展，尤其在紅光材料和陰極電子注入材料的開發上獲得了實用性的自主創新的材料，為昆山維信諾OLED量產線運行所需的有機發光材料產業化配套奠定了基礎。此外，華南理工大學的曹鏞院士在聚合物發光材料方面頗有建樹，北京大學、吉林大學、東南大學、北京理工大學、中科院化學所也紛紛投入有機光電材料開發領域的研究工作，但未見到*世界水平的新材料報道。
