我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)步、健康發(fā)展，電子信息材料成為不可或缺的重要組成部分。2006年電子信息材料全行業(yè)工業(yè)總值(銷售收入)達(dá)到776億元，同比增長(zhǎng)約29.1%，出口額約27.2億美元，其高速增長(zhǎng)的主要原因是信息產(chǎn)業(yè)快速增長(zhǎng)；新能源光伏產(chǎn)業(yè)需求的帶動(dòng)；新型元器件技術(shù)提升、規(guī)模擴(kuò)大，對(duì)高附加值電子信息材料需求增加；提高了對(duì)自主創(chuàng)新的認(rèn)識(shí)，高附加值電子信息材料產(chǎn)品逐步增加；材料價(jià)格有所上調(diào)等。中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)(
www.epoxy-e.cn)專家于日前，對(duì)我國(guó)電子信息材料行業(yè)在2006年的發(fā)展現(xiàn)狀作一回顧、分析，并對(duì)2007年的發(fā)展做一展望。
——半導(dǎo)體材料，太陽(yáng)能電池是熱點(diǎn)
多晶硅：節(jié)能降耗是迫切任務(wù)。近幾年由于市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng)，作為半導(dǎo)體、光伏太陽(yáng)能電池的重要原材料多晶硅材料，2006年市場(chǎng)供應(yīng)緊張局面仍在繼續(xù)。2006年世界多晶硅產(chǎn)量為32950噸，其中半導(dǎo)體用多晶硅產(chǎn)量約19250噸，太陽(yáng)能電池用產(chǎn)量約13700噸。從需求來(lái)看半導(dǎo)體用多晶硅需求約在20900噸，太陽(yáng)能電池用多晶硅需求約在18000噸，總的需求量約為38900噸，產(chǎn)需缺口5950噸。預(yù)測(cè)世界多晶硅生產(chǎn)企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)大需要2年左右的時(shí)間。據(jù)中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)(www.epoxy-e.cn)專家統(tǒng)計(jì)，2006年國(guó)內(nèi)對(duì)多晶硅材料的需求約4947噸，供需差距很大，95%以上的多晶硅仍來(lái)自進(jìn)口，提升突破多晶硅產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，節(jié)能降耗是行業(yè)的迫切重要任務(wù)。
多晶硅材料的短缺及其價(jià)格的上漲，帶來(lái)國(guó)內(nèi)對(duì)多晶硅投資、引資的強(qiáng)烈增長(zhǎng)，因此為了保證多晶硅產(chǎn)業(yè)的健康、有序、快速的發(fā)展。為此專家建議：全球7大多晶硅材料廠的擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能將在2008年陸續(xù)釋放，另外一些新建的工廠也會(huì)有部分產(chǎn)量產(chǎn)出，多晶硅材料市場(chǎng)將會(huì)得到進(jìn)一步的充實(shí)；多晶硅產(chǎn)品純度高，工藝要求嚴(yán)格，設(shè)備專用而且資金投入大，行業(yè)技術(shù)進(jìn)步快，生產(chǎn)中的副產(chǎn)品回收利用、三廢處理和循環(huán)經(jīng)濟(jì)投入大，需要加大研究費(fèi)用的投入，才會(huì)顯現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈和規(guī)模的綜合效應(yīng)；近幾年國(guó)內(nèi)多晶硅實(shí)際需求量約1萬(wàn)噸，對(duì)已有基礎(chǔ)條件的多晶硅生產(chǎn)企業(yè)，加大產(chǎn)業(yè)化新技術(shù)的突破，同時(shí)新建2～3家多晶硅生產(chǎn)線，形成我國(guó)的多晶硅產(chǎn)業(yè)是必要的。
另外，中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)(www.epoxy-e.cn)專家還建議：加強(qiáng)自主創(chuàng)新，加大對(duì)太陽(yáng)能電池用低成本多晶硅生產(chǎn)技術(shù)研究開發(fā)的支持力度；國(guó)家有關(guān)部門加強(qiáng)宏觀引導(dǎo)。當(dāng)前我國(guó)多晶硅工程投資過(guò)熱，國(guó)內(nèi)上馬和籌建項(xiàng)目產(chǎn)能初步統(tǒng)計(jì)已達(dá)5萬(wàn)多噸，預(yù)計(jì)投放的資金量達(dá)400億元以上，國(guó)內(nèi)多晶硅產(chǎn)能將面臨過(guò)剩的局面，新建項(xiàng)目設(shè)立和啟動(dòng)建設(shè)工程一定要慎重；國(guó)內(nèi)多晶硅廠家將在人才不足、生產(chǎn)成本、產(chǎn)品質(zhì)量、價(jià)格和節(jié)能減排等方面面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)；為了規(guī)范行業(yè)和市場(chǎng)的發(fā)展，建議上下游行業(yè)企業(yè)緊密結(jié)合，組織半導(dǎo)體用多晶硅標(biāo)準(zhǔn)的修訂，加快太陽(yáng)能電池用多晶硅標(biāo)準(zhǔn)的制定。
單晶硅：中小尺寸為主。2006年國(guó)內(nèi)硅單晶總產(chǎn)量為3739.7噸，總銷售額約117.8億元，其中半導(dǎo)體級(jí)硅單晶產(chǎn)量約551.4噸，太陽(yáng)能級(jí)硅單晶約3188.3噸，太陽(yáng)能級(jí)硅單晶占了總產(chǎn)量的85%。太陽(yáng)能級(jí)硅單晶產(chǎn)量的大幅增加主要是受太陽(yáng)能電池市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的拉動(dòng)，以及國(guó)產(chǎn)單晶爐質(zhì)量提高、價(jià)格較國(guó)外單晶爐低等原因。半導(dǎo)體級(jí)硅單晶總的發(fā)展?fàn)顩r趨于平穩(wěn)。2006年全球硅片總銷售額約為103億美元，我國(guó)銷售收入總額達(dá)到117.8億元，占世界總額的13.6%，與2005年相比有較大幅度上升，但所占世界比例仍較小。2006年我國(guó)單晶硅棒的出口量為1177.40噸，出口額為14805.65萬(wàn)美元，出口額比2005年增長(zhǎng)了8.1%；單晶硅切片出口數(shù)量為408.043噸，出口額為20356.69萬(wàn)美元，出口額比2005年增長(zhǎng)了74.38%，總的出口額約3.5億美元。
在硅材料中硅拋光片的技術(shù)含量高，拋光片的發(fā)展標(biāo)志著國(guó)內(nèi)硅產(chǎn)品的進(jìn)步。我國(guó)的拋光片1996年產(chǎn)量為1620萬(wàn)平方英寸，到2006年上升到25540萬(wàn)平方英寸，拋光片主要以4、5、6英寸為主。2006年國(guó)內(nèi)硅外延片產(chǎn)量6229萬(wàn)平方英寸，比2005年4580萬(wàn)平方英寸增長(zhǎng)了36%；全球2006年硅外延片的產(chǎn)量為1821百萬(wàn)平方英寸，我國(guó)只占全球的3.3%。目前，我國(guó)絕大部分企業(yè)只能生產(chǎn)4～6英寸硅外延片，8英寸、12英寸硅外延片正在研究試制。中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)(www.epoxy-e.cn)專家介紹說(shuō)，硅材料市場(chǎng)前景廣闊，我國(guó)硅單晶的產(chǎn)量、銷售收入近幾年遞增較快，以中小尺寸為主的硅片生產(chǎn)已成為國(guó)際公認(rèn)的事實(shí)，為世界和我國(guó)集成電路、半導(dǎo)體分立器件和光伏太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出了較大的貢獻(xiàn)。
砷化鎵材料：向大直徑長(zhǎng)尺寸發(fā)展。隨著GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料總的發(fā)展趨勢(shì)是晶體大直徑、長(zhǎng)尺寸化。用于光電子領(lǐng)域的砷化鎵材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制備；半絕緣砷化鎵材料主要應(yīng)用于微電子領(lǐng)域，主要采用高壓液封直拉法(HPLEC)、常壓液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制備。VB/VGF技術(shù)在國(guó)際上已發(fā)展成為成熟的砷化鎵晶體生長(zhǎng)工藝，采用該技術(shù)生產(chǎn)的Ф76.2mm、Ф100mm的拋光片已商品化，目前國(guó)外半導(dǎo)體砷化鎵材料的主流產(chǎn)品依然是Ф76.2mm。國(guó)內(nèi)低阻砷化鎵材料的主流產(chǎn)品為Ф50.8mm和Ф76.2mm。
低阻砷化鎵材料主要用來(lái)制造發(fā)光管(LED)、半導(dǎo)體激光器(LD)、高效太陽(yáng)能電池、霍爾組件等。中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)(www.epoxy-e.cn)專家表示，我國(guó)2006年度僅LED的需求量為150億支，對(duì)砷化鎵襯底材料的年需求量約50萬(wàn)片。隨著國(guó)內(nèi)汽車電子顯示器件及高亮度LED尾燈的需要量增長(zhǎng)，對(duì)這類材料的需求量還會(huì)大幅度增長(zhǎng)。目前，在福建、廣東、山東、江西及石家莊等地區(qū)已建成和正在興建的Φ50.8mm器件生產(chǎn)線就有十幾條，基本上全部從國(guó)外進(jìn)口該襯底材料。因此預(yù)計(jì)，在未來(lái)3年～5年內(nèi)，國(guó)內(nèi)的年需求量將達(dá)到200萬(wàn)片左右。
——光電子信息材料，LED、LCD唱主角
半導(dǎo)體照明：關(guān)鍵設(shè)備還很薄弱。我國(guó)LED完整的產(chǎn)業(yè)鏈已基本形成，在上游外延生長(zhǎng)、中游芯片、下游封裝與應(yīng)用各環(huán)節(jié)均已進(jìn)入量產(chǎn)階段，不過(guò)目前在相應(yīng)的關(guān)鍵設(shè)備方面還非常薄弱。據(jù)中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)(www.epoxy-e.cn)專家介紹，上游外延材料已實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，但產(chǎn)業(yè)化水平不高，而外延和芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備主要還是依賴進(jìn)口；中游芯片制造與國(guó)外差距不大，GaN基LED芯片依賴進(jìn)口的局面正在改變，但企業(yè)規(guī)模與國(guó)外大公司相比差距較大；下游封裝實(shí)現(xiàn)了大批量生產(chǎn)，我國(guó)正在成為世界重要的中低端LED封裝基地；半導(dǎo)體照明光源及燈具已批量出口銷售。我國(guó)LED市場(chǎng)規(guī)模平均增長(zhǎng)率為34%。2005年我國(guó)LED的生產(chǎn)數(shù)量近500億只，封裝銷售值達(dá)到100億元，2006年LED封裝銷售值提升至146億元，已成為世界重要的中低端LED封裝生產(chǎn)基地。
在我國(guó)，LED產(chǎn)品系列中的高亮度、功率型LED及白光LED應(yīng)用產(chǎn)品市場(chǎng)正在形成，并快速發(fā)展。截至2006年12月，我國(guó)有十余家外延芯片廠商已經(jīng)裝備MOCVD，投入生產(chǎn)的總計(jì)數(shù)量為40臺(tái)。“十五”期間，在“國(guó)家半導(dǎo)體照明工程”的組織實(shí)施過(guò)程中，通過(guò)自主技術(shù)創(chuàng)新，材料研究與開發(fā)方面取得了許多重要突破并達(dá)到世界先進(jìn)或*水平；在材料的制備、結(jié)構(gòu)與性能表征等基礎(chǔ)研究方面取得了一批具有世界先進(jìn)水平的成果。2006年國(guó)內(nèi)LED芯片市場(chǎng)分布：GaN芯片市值約占據(jù)43%，四元InGaAlP芯片市值約占據(jù)整個(gè)國(guó)內(nèi)LED芯片的15%；其他種類LED芯片的市值約占據(jù)42%。2006年國(guó)內(nèi)GaN芯片產(chǎn)值4.5億元，同期國(guó)內(nèi)GaN芯片需求總產(chǎn)值25億元。國(guó)內(nèi)非GaN芯片(普亮和四元)總產(chǎn)值6億元，同期國(guó)內(nèi)非GaN芯片需求總產(chǎn)值17億元。合計(jì)國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)總需求42億元。
液晶顯示材料：*繁榮。2006年顯示器市場(chǎng)顯得*繁榮與活躍，又是一個(gè)快速成長(zhǎng)年，我國(guó)原有的TN-LCD、STN-LCD產(chǎn)業(yè)在液晶全行業(yè)中依然占據(jù)十分重要的地位，盡管其總產(chǎn)值已低于TFT-LCD，但TN-LCD、STN-LCD產(chǎn)業(yè)基本上保持了平穩(wěn)發(fā)展的態(tài)勢(shì)，而與它相關(guān)的材料、制造設(shè)備業(yè)也得到相應(yīng)的發(fā)展。到目前為止，盡管我國(guó)LCD相關(guān)材料還不能完全滿足TN、STN-LCD產(chǎn)業(yè)的需求，但是經(jīng)過(guò)這些年的努力確有長(zhǎng)足進(jìn)步。首先是涉及的面寬了許多，幾乎TN、STN-LCD產(chǎn)業(yè)所需的所有材料，國(guó)內(nèi)都可以生產(chǎn)。其次產(chǎn)品質(zhì)量上這幾年也明顯有所提高。第三，材料銷售額在全行業(yè)的比重加大了，2006年全行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售額約50億元增加值，主要是材料的貢獻(xiàn)。現(xiàn)在的問(wèn)題是，我們的TFT器件產(chǎn)業(yè)起來(lái)了，但原材料大大地跟不上。現(xiàn)在除了背光源在相當(dāng)程度上可滿足TFT模塊的要求外，幾乎所有TFT器件生產(chǎn)所需要的材料都要進(jìn)口。這就大大增加了成本，不利于產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。因此，大力發(fā)展TFT-LCD相關(guān)材料成了行業(yè)的共同任務(wù)和當(dāng)務(wù)之急。
OLED有機(jī)發(fā)光材料：備受關(guān)注。隨著OLED技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化的興起，制約OLED屏顯示性能的有機(jī)發(fā)光材料成為顯示屏制造的關(guān)鍵原材料，也因此受到眾多研究學(xué)者和產(chǎn)業(yè)界更多的關(guān)注。國(guó)內(nèi)在有機(jī)發(fā)光材料領(lǐng)域走在產(chǎn)業(yè)化前面的為以長(zhǎng)春應(yīng)化所為研發(fā)背景的歐萊德化學(xué)材料有限公司，但其在自主創(chuàng)新材料的開發(fā)上離業(yè)界水平還有很大距離。其次，是以O(shè)LED器件研究為主的北京維信諾顯示技術(shù)有限公司，維信諾同清華大學(xué)有機(jī)光電實(shí)驗(yàn)室合作，近兩年來(lái)在創(chuàng)新材料的開發(fā)上取得了一系列的進(jìn)展，尤其在紅光材料和陰極電子注入材料的開發(fā)上獲得了實(shí)用性的自主創(chuàng)新的材料，為昆山維信諾OLED量產(chǎn)線運(yùn)行所需的有機(jī)發(fā)光材料產(chǎn)業(yè)化配套奠定了基礎(chǔ)。此外，華南理工大學(xué)的曹鏞院士在聚合物發(fā)光材料方面頗有建樹，北京大學(xué)、吉林大學(xué)、東南大學(xué)、北京理工大學(xué)、中科院化學(xué)所也紛紛投入有機(jī)光電材料開發(fā)領(lǐng)域的研究工作，但未見到*世界水平的新材料報(bào)道。
