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科學家制造出超大容量納米級信息存儲材料

發(fā)布日期：2005-11-11

　　法國和瑞士科學家日前開發(fā)出一種名為“自動組合結(jié)構(gòu)”的材料制造技術(shù)，進而制成新型超大容量的納米級信息存儲材料，每平方厘米的這種材料可存儲的信息達到4萬億比特。

　　法國國家科研中心近日發(fā)布新聞公報說，法國巴黎第七大學以及瑞士綜合理工大學的專家，在零下143攝氏度的真空狀態(tài)下，把鈷原子凝聚在金晶體材料上，在這種材料表面的鈷原子根據(jù)專家事先安排好的一種結(jié)構(gòu)來排列組合。數(shù)百個原子可以形成一個大接點，這些接點又相互組合，自動形成一個有序的結(jié)構(gòu)體系。研究人員由此得到的納米級材料，其結(jié)構(gòu)可以突破信息存儲的不少極限，使硬盤的信息存儲密度進一步加大。

　　據(jù)介紹，在目前的硬盤中，信息主要被存儲在一個很薄的鈷合金晶粒片上。1比特的信息需要占1000個晶粒。而法國科學家新開發(fā)的技術(shù)使存儲1比特信息僅占用1個晶粒，1平方厘米新材料的信息存儲量達到了4萬億比特。

　　目前這種材料的缺點是只有在零下230攝氏度時才有磁性記憶能力。高于這一溫度，新材料的接點就會出現(xiàn)性能不穩(wěn)定，導致信息丟失。科學家下一步將致力于加強新材料的穩(wěn)定性。

　　據(jù)當?shù)孛襟w報道，在微電子技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)微小化、單位面積內(nèi)存儲能力*大化是重要的研究方向。目前的成熟技術(shù)很難滿足市場對存儲能力的要求。未來，利用納米技術(shù)將能在上述兩方面不斷獲得進展。

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