科學家制造出超大容量納米級信息存儲材料

　　法國和瑞士科學家日前開發(fā)出一種名為“自動組合結構”的材料制造技術，進而制成新型超大容量的納米級信息存儲材料，每平方厘米的這種材料可存儲的信息達到4萬億比特。


　　法國國家科研中心近日發(fā)布新聞公報說，法國巴黎第七大學以及瑞士綜合理工大學的專家，在零下143攝氏度的真空狀態(tài)下，把鈷原子凝聚在金晶體材料上，在這種材料表面的鈷原子根據專家事先安排好的一種結構來排列組合。數(shù)百個原子可以形成一個大接點，這些接點又相互組合，自動形成一個有序的結構體系。研究人員由此得到的納米級材料，其結構可以突破信息存儲的不少極限，使硬盤的信息存儲密度進一步加大。


　　據介紹，在目前的硬盤中，信息主要被存儲在一個很薄的鈷合金晶粒片上。1比特的信息需要占1000個晶粒。而法國科學家新開發(fā)的技術使存儲1比特信息僅占用1個晶粒，1平方厘米新材料的信息存儲量達到了4萬億比特。


　　目前這種材料的缺點是只有在零下230攝氏度時才有磁性記憶能力。高于這一溫度，新材料的接點就會出現(xiàn)性能不穩(wěn)定，導致信息丟失。科學家下一步將致力于加強新材料的穩(wěn)定性。


　　據當?shù)孛襟w報道，在微電子技術領域實現(xiàn)微小化、單位面積內存儲能力*大化是重要的研究方向。目前的成熟技術很難滿足市場對存儲能力的要求。未來，利用納米技術將能在上述兩方面不斷獲得進展。

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